Nature.com saytına daxil olduğunuz üçün təşəkkür edirik.Siz məhdud CSS dəstəyi ilə brauzer versiyasından istifadə edirsiniz.Ən yaxşı təcrübə üçün sizə yenilənmiş brauzerdən istifadə etməyi tövsiyə edirik (və ya Internet Explorer-də Uyğunluq rejimini söndürün).Bundan əlavə, davamlı dəstəyi təmin etmək üçün biz saytı üslub və JavaScript olmadan göstəririk.
Eyni anda üç slayddan ibarət karuseli göstərir.Eyni anda üç slayd arasında hərəkət etmək üçün Əvvəlki və Sonrakı düymələrindən istifadə edin və ya bir anda üç slayd arasında hərəkət etmək üçün sonundakı sürüşmə düymələrindən istifadə edin.
Birbaşa lazer müdaxiləsi (DLIP) lazerin yaratdığı dövri səth strukturu (LIPSS) ilə birlikdə müxtəlif materiallar üçün funksional səthlər yaratmağa imkan verir.Prosesin ötürmə qabiliyyəti adətən daha yüksək orta lazer gücündən istifadə etməklə artır.Bununla belə, bu, yaranan səth nümunəsinin pürüzlülüyünə və formasına təsir edən istilik yığılmasına gətirib çıxarır.Buna görə də substratın temperaturunun hazırlanmış elementlərin morfologiyasına təsirini ətraflı öyrənmək lazımdır.Bu tədqiqatda polad səth 532 nm-də ps-DLIP ilə xətt naxışlı idi.Substratın temperaturunun yaranan topoqrafiyaya təsirini araşdırmaq üçün temperaturu idarə etmək üçün bir qızdırıcı plitə istifadə edilmişdir.250 \(^{\circ }\)С-yə qədər qızdırılması, əmələ gələn strukturların dərinliyinin 2,33-dən 1,06 µm-ə qədər əhəmiyyətli dərəcədə azalmasına səbəb oldu.Azalma, substrat taxıllarının oriyentasiyasından və lazerin səbəb olduğu səth oksidləşməsindən asılı olaraq müxtəlif növ LIPSS-in görünüşü ilə əlaqələndirildi.Bu tədqiqat, istilik yığılması effektləri yaratmaq üçün yüksək orta lazer gücündə səth müalicəsi aparıldıqda da gözlənilən substrat temperaturunun güclü təsirini göstərir.
Ultraqısa pulse lazer şüalanmasına əsaslanan səthi təmizləmə üsulları ən vacib müvafiq materialların səth xüsusiyyətlərini yaxşılaşdırmaq qabiliyyətinə görə elm və sənayedə ön sıralardadır1.Xüsusilə, lazerin yaratdığı fərdi səth funksionallığı sənaye sektorları və tətbiqi ssenariləri1,2,3 geniş spektrində ən müasirdir.Məsələn, Vercillo et al.Buzlanmaya qarşı xüsusiyyətlər lazerin yaratdığı superhidrofobikliyə əsaslanan aerokosmik tətbiqlər üçün titan ərintilərində nümayiş etdirilmişdir.Epperlein və digərləri bildirdilər ki, lazer səthinin quruluşu ilə əldə edilən nanoölçülü xüsusiyyətlər polad nümunələrdə biofilmin böyüməsinə və ya inhibə edilməsinə təsir edə bilər5.Bundan əlavə, Guai et al.üzvi günəş hüceyrələrinin optik xüsusiyyətlərini də yaxşılaşdırdı.6 Beləliklə, lazer strukturlaşdırılması səth materialının idarə olunan ablasiyası yolu ilə yüksək ayırdetmə qabiliyyətinə malik struktur elementlərin istehsalına imkan verir1.
Belə dövri səth strukturlarının istehsalı üçün uyğun lazer strukturlaşdırma texnikası birbaşa lazer müdaxilə formalaşdırmasıdır (DLIP).DLIP, mikrometr və nanometr diapazonunda xüsusiyyətləri olan naxışlı səthlər yaratmaq üçün iki və ya daha çox lazer şüasının səthə yaxın müdaxiləsinə əsaslanır.Lazer şüalarının sayından və qütbləşməsindən asılı olaraq, DLIP geniş çeşiddə topoqrafik səth strukturlarını dizayn edə və yarada bilər.Mürəkkəb struktur iyerarxiyasına malik səth topoqrafiyası yaratmaq üçün DLIP strukturlarını lazerlə induksiya olunan dövri səth strukturları (LIPSS) ilə birləşdirmək perspektivli yanaşmadır8,9,10,11,12.Təbiətdə bu iyerarxiyaların tək miqyaslı modellərdən daha yaxşı performans təmin etdiyi göstərilmişdir13.
LIPSS funksiyası radiasiya intensivliyinin paylanmasının səthə yaxın modulyasiyasına əsaslanan özünü gücləndirən prosesə (müsbət rəy) məruz qalır.Bu, tətbiq olunan lazer impulslarının sayı 14, 15, 16 artdıqca nanokluluğun artması ilə əlaqədardır. Modulyasiya əsasən buraxılan dalğanın elektromaqnit sahəsi ilə müdaxiləsi hesabına baş verir15,17,18,19,20,21 sınmış və səpələnmiş dalğa komponentləri və ya səth plazmonları.LIPSS-in formalaşmasına impulsların vaxtı da təsir edir22,23.Xüsusilə, daha yüksək orta lazer gücləri yüksək məhsuldarlıqlı səth müalicəsi üçün əvəzolunmazdır.Bunun üçün adətən yüksək təkrar sürətlərinin, yəni MHz diapazonunda istifadə edilməsi tələb olunur.Nəticə etibarilə, lazer impulsları arasında vaxt məsafəsi daha qısadır, bu da istilik yığılma effektlərinə gətirib çıxarır 23, 24, 25, 26. Bu təsir səthin temperaturunun ümumi artmasına gətirib çıxarır ki, bu da lazer ablasiyası zamanı modelləşdirmə mexanizminə əhəmiyyətli dərəcədə təsir göstərə bilər.
Əvvəlki işində Rudenko et al.və Tzibidis və b.Konvektiv strukturların əmələ gəlməsi mexanizmi müzakirə edilir, istilik yığılması artdıqca bu mexanizm getdikcə daha çox əhəmiyyət kəsb etməlidir19,27.Bundan əlavə, Bauer et al.Mikron səthi strukturları ilə istilik yığılmasının kritik miqdarını əlaqələndirin.Bu termal induksiya strukturunun formalaşması prosesinə baxmayaraq, ümumiyyətlə, prosesin məhsuldarlığının sadəcə təkrarlanma sürətini artırmaqla yaxşılaşdırıla biləcəyinə inanılır28.Baxmayaraq ki, bu, öz növbəsində, istilik saxlamada əhəmiyyətli bir artım olmadan əldə edilə bilməz.Buna görə də, çoxsəviyyəli topologiyanı təmin edən proses strategiyaları prosesin kinetikasını və strukturun formalaşmasını dəyişmədən daha yüksək təkrar sürətlərinə daşınmaya bilər9,12.Bu baxımdan, xüsusilə LIPSS-in eyni vaxtda əmələ gəlməsi səbəbindən laylı səth nümunələri hazırlayarkən, substratın temperaturunun DLIP formalaşma prosesinə necə təsir etdiyini araşdırmaq çox vacibdir.
Bu tədqiqatın məqsədi ps impulslarından istifadə edərək paslanmayan poladdan DLIP emalı zamanı substrat temperaturunun nəticədə yaranan səth topoqrafiyasına təsirini qiymətləndirmək idi.Lazer emalı zamanı nümunə substratının temperaturu bir qızdırıcı plitədən istifadə edərək 250 \(^\circ\)C-ə çatdırıldı.Yaranan səth strukturları konfokal mikroskopiya, skan edən elektron mikroskopiya və enerji-dispersiv rentgen spektroskopiyasından istifadə etməklə xarakterizə edilmişdir.
Təcrübələrin ilk seriyasında, polad substrat 4,5 µm məkan müddəti və \(T_{\mathrm {s}}\) 21 \(^{\circ) substrat temperaturu olan iki şüalı DLIP konfiqurasiyasından istifadə edərək işlənmişdir. }\)C, bundan sonra “qızdırılmamış » səth.Bu halda, impuls üst-üstə düşməsi \(o_{\mathrm {p}}\) nöqtə ölçüsündən asılı olaraq iki impuls arasındakı məsafədir.99,0% (hər mövqeyə 100 impuls) ilə 99,67% (hər mövqeyə 300 impuls) arasında dəyişir.Bütün hallarda pik enerji sıxlığı \(\Phi _\mathrm {p}\) = 0,5 J/sm\(^2\) (müdaxiləsiz Qauss ekvivalenti üçün) və f = 200 kHz təkrar tezliyindən istifadə edilmişdir.Lazer şüasının qütbləşmə istiqaməti yerləşdirmə cədvəlinin hərəkətinə paraleldir (şəkil 1a)), iki şüa müdaxilə nümunəsi ilə yaradılmış xətti həndəsə istiqamətinə paraleldir.Skan edən elektron mikroskopdan (SEM) istifadə edərək əldə edilmiş strukturların reprezentativ şəkilləri Şek.1a–c.Topoqrafiya baxımından SEM şəkillərinin təhlilini dəstəkləmək üçün qiymətləndirilən strukturlarda Furye çevrilmələri (tünd əlavələrlə göstərilən FFT) aparıldı.Bütün hallarda, əldə edilən DLIP həndəsəsi 4,5 µm məkan dövrü ilə göründü.
İş üçün \(o_{\mathrm {p}}\) = 99.0% Şəklin qaranlıq sahəsində.Şəkil 1a, müdaxilə maksimumunun mövqeyinə uyğun olaraq, daha kiçik paralel strukturları ehtiva edən yivləri müşahidə etmək olar.Onlar nanohissəciklərə bənzər topoqrafiya ilə örtülmüş daha parlaq zolaqlarla növbələşirlər.Çünki yivlər arasındakı paralel struktur lazer şüasının qütbləşməsinə perpendikulyar görünür və \(\Lambda _{\mathrm {LSFL-I}}\) 418\(\pm 65\) nm, bir qədər müddətə malikdir. lazerin dalğa uzunluğundan az olan \(\lambda\) (532 nm) aşağı məkan tezlikli LIPSS adlandırıla bilər (LSFL-I)15,18.LSFL-I, FFT-də s-tipli siqnal istehsal edir, “s” səpilməsi15,20.Buna görə də, siqnal güclü mərkəzi şaquli elementə perpendikulyardır və bu da öz növbəsində DLIP strukturu tərəfindən yaradılır (\(\Lambda _{\mathrm {DLIP}}\) \(\təxminən\) 4,5 µm).FFT təsvirində DLIP modelinin xətti strukturu tərəfindən yaradılan siqnal “DLIP tipli” adlanır.
DLIP istifadə edərək yaradılmış səth strukturlarının SEM şəkilləri.Pik enerji sıxlığı \(\Phi _\mathrm {p}\) = 0,5 J/sm\(^2\) (səssiz Qauss ekvivalenti üçün) və təkrarlanma tezliyi f = 200 kHz-dir.Şəkillərdə nümunənin temperaturu, polarizasiya və üst-üstə düşmə göstərilir.Lokalizasiya mərhələsinin hərəkəti (a) -da qara ox ilə qeyd olunur.Qara əlavə 37,25\(\ dəfə\)37,25 µm SEM təsvirindən əldə edilmiş müvafiq FFT-ni göstərir (dalğa vektoru \(\vec {k}\cdot (2\pi )^ {-1}\) = 200 olana qədər göstərilir nm).Prosesin parametrləri hər bir şəkildə göstərilmişdir.
Şəkil 1-ə daha yaxından nəzər saldıqda, \(o_{\mathrm {p}}\) üst-üstə düşməsi artdıqca siqmoid siqnalın FFT-nin x oxuna doğru daha çox cəmləşdiyini görə bilərsiniz.LSFL-I-in qalan hissəsi daha çox paralel olmağa meyllidir.Bundan əlavə, s tipli siqnalın nisbi intensivliyi azaldı və DLIP tipli siqnalın intensivliyi artdı.Bu, daha çox üst-üstə düşən xəndəklərin getdikcə daha çox olması ilə bağlıdır.Həmçinin, s növü ilə mərkəz arasındakı x oxu siqnalı LSFL-I ilə eyni oriyentasiyaya malik, lakin daha uzun müddətə malik strukturdan gəlməlidir (\(\Lambda _\mathrm {b}\) \(\təqribən \ ) 1.4 ± 0.2 µm) Şəkil 1c-də göstərildiyi kimi).Buna görə də onların formalaşmasının xəndəyin mərkəzindəki çuxurların nümunəsi olduğu güman edilir.Yeni funksiya həmçinin ordinatın yüksək tezlik diapazonunda (böyük dalğa sayı) görünür.Siqnal xəndəyin yamaclarında paralel dalğalanmalardan gəlir, çox güman ki, yamaclarda hadisə və irəli əks olunan işığın müdaxiləsi ilə əlaqədardır9,14.Aşağıda bu dalğalar LSFL \ (_ \ mathrm {kənar} \) ilə, siqnalları isə -s \ (_ {\mathrm {p)) \) ilə işarələnir.
Növbəti təcrübədə nümunənin temperaturu "qızdırılmış" səthin altında 250 ° C-ə çatdırıldı.Strukturlaşdırma əvvəlki bölmədə qeyd olunan təcrübələrlə eyni emal strategiyasına uyğun olaraq həyata keçirilmişdir (şək. 1a-1c).SEM şəkilləri Şəkil 1d-f-də göstərildiyi kimi yaranan topoqrafiyanı təsvir edir.Nümunənin 250 C-yə qədər qızdırılması istiqaməti lazer polarizasiyasına paralel olan LSFL görünüşünün artmasına səbəb olur.Bu strukturlar LSFL-II kimi xarakterizə edilə bilər və 247 ± 35 nm məkan dövrü \(\Lambda _\mathrm {LSFL-II}\) ola bilər.LSFL-II siqnalı yüksək rejim tezliyinə görə FFT-də göstərilmir.\(o_{\mathrm {p}}\) 99.0-dan 99.67\(\%\)-ə qədər artdıqca (Şəkil 1d–e) parlaq zolaq bölgəsinin eni artdı, bu da DLIP siqnalının yaranmasına səbəb oldu. yüksək tezliklərdən daha çox üçün.dalğa nömrələri (aşağı tezliklər) və beləliklə, FFT-nin mərkəzinə doğru sürüşür.Şəkil 1d-dəki çuxurların cərgələri LSFL-I22,27-yə perpendikulyar şəkildə formalaşmış sözdə yivlərin prekursorları ola bilər.Bundan əlavə, LSFL-II daha qısa və qeyri-düzgün formalı görünür.Nəzərə alın ki, nanograin morfologiyası olan parlaq zolaqların orta ölçüsü bu halda daha kiçikdir.Bundan əlavə, bu nanohissəciklərin ölçü bölgüsü qızdırılmadan daha az dağılmış (və ya daha az hissəciklərin yığılmasına gətirib çıxarmışdır).Keyfiyyət baxımından bunu müvafiq olaraq 1a, d və ya b, e rəqəmlərini müqayisə etməklə qiymətləndirmək olar.
Üst-üstə düşmə \(o_{\mathrm {p}}\) 99,67%-ə qədər artdıqca (şək. 1f), getdikcə aydın olan şırımlar hesabına tədricən fərqli topoqrafiya yarandı.Bununla belə, bu yivlər Şəkil 1c ilə müqayisədə daha az nizamlı və daha az dərin görünür.Şəklin işıqlı və qaranlıq sahələri arasında aşağı kontrast keyfiyyətdə özünü göstərir.Bu nəticələr c-dəki FFT ilə müqayisədə Şəkil 1f-də FFT ordinatının daha zəif və daha səpələnmiş siqnalı ilə daha da dəstəklənir.Şəkil 1b və e-ni müqayisə edərkən qızdırma zamanı kiçik zolaqlar da aydın oldu ki, bu da sonradan konfokal mikroskopiya ilə təsdiqləndi.
Əvvəlki təcrübəyə əlavə olaraq, lazer şüasının qütbləşməsi 90 \(^{\circ}\) ilə fırlandı, bu da qütbləşmə istiqamətinin yerləşdirmə platformasına perpendikulyar hərəkət etməsinə səbəb oldu.Əncirdə.2a-c strukturun formalaşmasının ilkin mərhələlərini göstərir, \(o_{\mathrm {p}}\) = 99,0% qızdırılmamış (a), qızdırılan (b) və qızdırılan 90\(^{\ circ }\ ) – Case fırlanan polarizasiya ilə (c).Strukturların nanotopoqrafiyasını vizuallaşdırmaq üçün rəngli kvadratlarla işarələnmiş sahələr Şek.2d, böyüdülmüş miqyasda.
DLIP istifadə edərək yaradılmış səth strukturlarının SEM şəkilləri.Prosesin parametrləri Fig.1-də olduğu kimidir.Şəkildə nümunənin temperaturu \(T_s\), polarizasiya və impuls üst-üstə düşməsi \(o_\mathrm {p}\) göstərilir.Qara əlavə yenidən müvafiq Furye çevrilməsini göstərir.(d)-(i)-dəki şəkillər (a)-(c)-də qeyd olunan sahələrin böyüdülməsidir.
Bu halda, Şəkil 2b,c-nin qaranlıq bölgələrindəki strukturların qütbləşməyə həssas olduğunu və buna görə də LSFL-II14, 20, 29, 30 etiketləndiyini görmək olar. Xüsusilə, LSFL-I-nin oriyentasiyası da fırlanır ( Şəkil 2g, i), müvafiq FFT-də s tipli siqnalın oriyentasiyasından görünə bilər.LSFL-I dövrünün bant genişliyi b dövrü ilə müqayisədə daha böyük görünür və onun diapazonu daha geniş yayılmış s tipli siqnalla göstərildiyi kimi Şəkil 2c-də daha kiçik dövrlərə doğru sürüşdürülür.Beləliklə, nümunə üzərində müxtəlif qızdırma temperaturlarında aşağıdakı LSFL məkan dövrü müşahidə oluna bilər: \(\Lambda _{\mathrm {LSFL-I}}\) = 418\(\pm 65\) nm 21 ^{ \circ }\ )C (Şəkil 2a), \(\Lambda _{\mathrm {LSFL-I}}\) = 445\(~\pm\) 67 nm və \(\Lambda _{\mathrm {LSFL-II) }} \) = 250°C-də 247 ± 35 nm (şəkil 2b) s polarizasiyası üçün.Əksinə, p-qütbləşmənin məkan dövrü və 250 \(^{\circ }\)C bərabərdir \(\Lambda _{\mathrm {LSFL-I))\) = 390\(\pm 55\ ) nm və \(\ Lambda_{\mathrm{LSFL-II}}\) = 265±35 nm (şəkil 2c).
Nəticələr göstərir ki, sadəcə nümunənin temperaturunu artırmaqla səth morfologiyası (i) yalnız LSFL-I elementlərini ehtiva edən səth və (ii) LSFL-II ilə örtülmüş sahə daxil olmaqla, iki ekstremal arasında keçid edə bilər.Metal səthlərdə bu xüsusi növ LIPSS-in əmələ gəlməsi səth oksidi təbəqələri ilə əlaqəli olduğundan, enerji dispersiv rentgen analizi (EDX) aparılmışdır.Cədvəl 1 əldə edilmiş nəticələri ümumiləşdirir.Hər bir təyinetmə işlənmiş nümunənin səthinin müxtəlif yerlərində ən azı dörd spektrin orta hesabla alınması ilə həyata keçirilir.Ölçmələr müxtəlif nümunə temperaturlarında \(T_\mathrm{s}\) və strukturlaşdırılmamış və ya strukturlaşdırılmış sahələri ehtiva edən nümunə səthinin müxtəlif mövqelərində aparılır.Ölçmələr həmçinin təmizlənmiş ərimiş sahənin birbaşa altında, lakin EDX analizinin elektron nüfuzetmə dərinliyi daxilində yerləşən daha dərin oksidləşməmiş təbəqələr haqqında məlumatları ehtiva edir.Bununla belə, qeyd etmək lazımdır ki, EDX oksigen miqdarını ölçmək qabiliyyəti ilə məhduddur, buna görə də buradakı bu dəyərlər yalnız keyfiyyət qiymətləndirməsini verə bilər.
Nümunələrin təmizlənməmiş hissələri bütün iş temperaturlarında əhəmiyyətli miqdarda oksigen göstərməmişdir.Lazer müalicəsindən sonra bütün hallarda oksigen səviyyəsi artmışdır31.Təmizlənməmiş iki nümunə arasında elementar tərkibindəki fərq kommersiya polad nümunələri üçün gözlənildiyi kimi idi və karbohidrogen çirklənməsinə görə AISI 304 polad üçün istehsalçının məlumat vərəqi ilə müqayisədə əhəmiyyətli dərəcədə yüksək karbon dəyərləri tapıldı32.
Yiv ablasyon dərinliyinin azalmasının və LSFL-I-dən LSFL-II-yə keçidin mümkün səbəblərini müzakirə etməzdən əvvəl güc spektral sıxlığı (PSD) və hündürlük profillərindən istifadə olunur.
(i) Səthin kvazi ikiölçülü normallaşdırılmış güc spektral sıxlığı (Q2D-PSD) Şəkil 1 və 2-də SEM təsvirləri kimi göstərilmişdir. 1 və 2. PSD normallaşdırıldığı üçün, cəmi siqnalda azalma olmalıdır. sabit hissədə artım (k \(\le\) 0,7 µm\(^{-1}\), göstərilməyib), yəni hamarlıq kimi başa düşülür.(ii) Müvafiq orta səth hündürlüyü profili.Nümunə temperaturu \(T_s\), üst-üstə düşmə \(o_{\mathrm {p}}\) və yerləşdirmə platformasının hərəkətinin \(\vec {v}\) oriyentasiyasına nisbətən lazer qütbləşməsi bütün qrafiklərdə göstərilmişdir.
SEM şəkillərinin təəssüratını ölçmək üçün x və ya y istiqamətində bütün birölçülü (1D) güc spektral sıxlıqlarının (PSD) orta hesabla alınması yolu ilə hər bir parametr üçün ən azı üç SEM təsvirindən orta normallaşdırılmış güc spektri yaradıldı.Siqnalın tezliyinin yerdəyişməsini və onun spektrə nisbi töhfəsini göstərən müvafiq qrafik Şəkil 3i-də göstərilmişdir.
Əncirdə.3ia, c, e, DLIP zirvəsi \(k_{\mathrm {DLIP}}~=~2\pi\) (4,5 µm)\(^{-1}\) = 1,4 µm \ ( ^{-) yaxınlığında böyüyür. 1}\) və ya üst-üstə düşmə artdıqca müvafiq daha yüksək harmoniklər \(o_{\mathrm {p})\).Əsas amplituda artım LRIB strukturunun daha güclü inkişafı ilə əlaqələndirildi.Daha yüksək harmoniklərin amplitudası yamacın dikliyi ilə artır.Məhdud hallar kimi düzbucaqlı funksiyalar üçün yaxınlaşma ən çox tezlik tələb edir.Buna görə də, PSD-də 1,4 µm\(^{-1}\) ətrafında olan zirvə və müvafiq harmoniklər yivin forması üçün keyfiyyət parametrləri kimi istifadə edilə bilər.
Əksinə, 3(i)b,d,f-də göstərildiyi kimi, qızdırılan nümunənin PSD-si müvafiq harmoniklərdə daha az siqnalla daha zəif və daha geniş zirvələri göstərir.Bundan əlavə, şək.3(i)f göstərir ki, ikinci harmonik siqnal hətta əsas siqnalı üstələyir.Bu, qızdırılan nümunənin daha qeyri-müntəzəm və daha az ifadə olunan DLIP strukturunu əks etdirir (\(T_s\) = 21\(^\circ\)C ilə müqayisədə).Digər xüsusiyyət ondan ibarətdir ki, üst-üstə düşmə \(o_{\mathrm {p}}\) artdıqca, nəticədə yaranan LSFL-I siqnalı daha kiçik dalğa nömrəsinə (daha uzun müddətə) doğru sürüşür.Bu, DLIP rejiminin kənarlarının artan sıldırımlığı və bununla əlaqədar olaraq düşmə bucağının yerli artımı ilə izah edilə bilər14,33.Bu tendensiyadan sonra LSFL-I siqnalının genişlənməsi də izah edilə bilər.Dik yamaclara əlavə olaraq, DLIP strukturunun alt və yuxarı hissəsində LSFL-I dövrlərinin daha geniş diapazonuna imkan verən düz sahələr də mövcuddur.Yüksək uducu materiallar üçün LSFL-I müddəti adətən aşağıdakı kimi qiymətləndirilir:
burada \(\teta\) düşmə bucağıdır və s və p alt işarələri müxtəlif qütbləşmələrə istinad edir33.
Qeyd etmək lazımdır ki, DLIP quraşdırması üçün təsadüf müstəvisi adətən Şəkil 4-də göstərildiyi kimi yerləşdirmə platformasının hərəkətinə perpendikulyar olur (Materiallar və Metodlar bölməsinə baxın).Buna görə də, s-qütbləşmə, bir qayda olaraq, mərhələnin hərəkətinə paralel, p-qütbləşmə isə ona perpendikulyardır.Tənliyə görə.(1), s-qütbləşmə üçün LSFL-I siqnalının yayılması və daha kiçik dalğa nömrələrinə doğru yerdəyişməsi gözlənilir.Bu, xəndəyin dərinliyi artdıqca \(\teta\) və bucaq diapazonunun \(\teta \pm \delta \teta\) artması ilə əlaqədardır.Bunu Şəkil 3ia,c,e-də LSFL-I zirvələrini müqayisə etməklə görmək olar.
Şəkildə göstərilən nəticələrə görə.1c, LSFL\(_\mathrm {kənar}\) əncirdə müvafiq PSD-də də görünür.3ie.Əncirdə.3ig,h p-qütbləşmə üçün PSD-ni göstərir.DLIP zirvələrindəki fərq qızdırılan və qızdırılmamış nümunələr arasında daha aydın görünür.Bu halda, LSFL-I-dən gələn siqnal DLIP zirvəsinin daha yüksək harmonikləri ilə üst-üstə düşür və lasinq dalğa uzunluğuna yaxın siqnala əlavə olunur.
Nəticələri daha ətraflı müzakirə etmək üçün Şəkil 3ii-də müxtəlif temperaturlarda DLIP xətti hündürlük paylanmasının impulsları arasında struktur dərinliyi və üst-üstə düşməsi göstərilir.Səthin şaquli hündürlük profili DLIP strukturunun mərkəzi ətrafında orta hesabla on fərdi şaquli hündürlük profili ilə əldə edilmişdir.Tətbiq olunan hər bir temperatur üçün, strukturun dərinliyi artan impuls örtüşməsi ilə artır.Qızdırılan nümunənin profili s-qütbləşmə üçün 0,87 µm və p-qütbləşmə üçün 1,06 µm olan orta zirvədən zirvəyə (pvp) dəyərləri olan yivləri göstərir.Bunun əksinə olaraq, qızdırılmamış nümunənin s-polyarizasiyası və p-qütbləşməsi müvafiq olaraq 1.75 µm və 2.33 µm pvp göstərir.Müvafiq pvp əncirdəki hündürlük profilində təsvir edilmişdir.3ii.Hər bir orta PvP orta hesabla səkkiz tək PvP ilə hesablanır.
Bundan əlavə, şək.3iig,h yerləşdirmə sisteminə və yivin hərəkətinə perpendikulyar olan p-qütbləşmə hündürlüyünün paylanmasını göstərir.P-qütbləşmənin istiqaməti yivin dərinliyinə müsbət təsir göstərir, çünki bu, 1,75 µm pvp-də s-qütbləşmə ilə müqayisədə 2,33 µm-də bir qədər yüksək pvp ilə nəticələnir.Bu, öz növbəsində, yerləşdirmə platforması sisteminin yivlərinə və hərəkətinə uyğundur.Bu təsirə p-qütbləşmə halı ilə müqayisədə s-qütbləşmə vəziyyətində daha kiçik struktur səbəb ola bilər (bax. Şəkil 2f,h), bundan sonrakı bölmədə daha ətraflı müzakirə olunacaq.
Müzakirənin məqsədi qızdırılan nümunələr halında əsas LIPS sinfinin (LSFL-I-dən LSFL-II-yə) dəyişməsi ilə əlaqədar yiv dərinliyinin azalmasının izah edilməsidir.Beləliklə, aşağıdakı suallara cavab verin:
Birinci suala cavab vermək üçün ablasyonun azalmasına cavabdeh olan mexanizmləri nəzərdən keçirmək lazımdır.Normal rast gəlinən tək nəbz üçün ablasiya dərinliyi aşağıdakı kimi təsvir edilə bilər:
burada \(\delta _{\mathrm {E}}\) enerjinin nüfuzetmə dərinliyi, \(\Phi\) və \(\Phi _{\mathrm {th}}\) udma axını və Ablasiya axınıdır. eşik, müvafiq olaraq34 .
Riyazi olaraq enerjinin nüfuzetmə dərinliyi ablasiya dərinliyinə multiplikativ təsir göstərir, enerjinin dəyişməsi isə loqarifmik təsir göstərir.Beləliklə, səlis dəyişiklikləri \(\Delta z\)-a \(\Phi ~\gg ~\Phi _{\mathrm {th}}\) qədər təsir etmir.Bununla belə, güclü oksidləşmə (məsələn, xrom oksidinin əmələ gəlməsi səbəbindən) Cr-Cr bağları ilə müqayisədə daha güclü Cr-O35 bağlarına gətirib çıxarır və bununla da ablasiya həddini artırır.Nəticə etibarilə, \(\Phi ~\gg ~\Phi _{\mathrm {th}}\) artıq təmin edilmir, bu da enerji axınının sıxlığının azalması ilə ablasiya dərinliyinin sürətlə azalmasına gətirib çıxarır.Bundan əlavə, oksidləşmə vəziyyəti ilə LSFL-II dövrü arasında korrelyasiya məlumdur ki, bu da nanostrukturun özündə və səthin oksidləşməsi nəticəsində yaranan səthin optik xassələrində baş verən dəyişikliklərlə izah edilə bilər30,35.Odur ki, udma fluencesinin \(\Phi\) dəqiq səthi paylanması struktur dövrü ilə oksid təbəqəsinin qalınlığı arasında qarşılıqlı təsirin mürəkkəb dinamikası ilə bağlıdır.Dövrdən asılı olaraq nanostruktur sahənin kəskin artması, səth plazmonlarının həyəcanlanması, qeyri-adi işıq ötürülməsi və ya səpilmə hesabına udulmuş enerji axınının paylanmasına güclü təsir göstərir17,19,20,21.Buna görə də, \(\Phi\) səthə yaxın güclü qeyri-homogendir və \(\delta _ {E}\) bir udma əmsalı ilə artıq mümkün deyil \(\alpha = \delta _{\mathrm {opt} } ^ { -1} \təxminən \delta _{\mathrm {E}}^{-1}\) bütün səthə yaxın həcm üçün.Oksid pərdəsinin qalınlığı əsasən bərkimə müddətindən [26] asılı olduğundan, nomenklatura effekti nümunənin temperaturundan asılıdır.Əlavə Materialda Şəkil S1-də göstərilən optik mikroqraflar optik xassələrdəki dəyişiklikləri göstərir.
Bu təsirlər Şəkil 1d,e və 2b,c və 3(ii)b,d,f-də kiçik səth strukturları halında xəndəyin daha dayaz dərinliyini qismən izah edir.
LSFL-II-nin yarımkeçiricilərdə, dielektriklərdə və oksidləşməyə meylli materiallarda əmələ gəldiyi məlumdur14,29,30,36,37.Sonuncu halda səthi oksid təbəqəsinin qalınlığı xüsusilə vacibdir30.Aparılan EDX analizi strukturlaşdırılmış səthdə səth oksidlərinin əmələ gəlməsini aşkar etdi.Beləliklə, qızdırılmamış nümunələr üçün ətrafdakı oksigen qaz hissəciklərinin qismən formalaşmasına və qismən səth oksidlərinin formalaşmasına kömək edir.Hər iki fenomen bu prosesə mühüm töhfə verir.Əksinə, qızdırılan nümunələr üçün müxtəlif oksidləşmə dərəcələrinin metal oksidləri (SiO\(_{\mathrm {2}}\), Cr\(_{\mathrm {n}} \)O\(_{\mathrm { m}}\ ), Fe\(_{\mathrm {n}}\)O\(_{\mathrm {m}}\), NiO və s.) aydın 38 lehinədir.Tələb olunan oksid təbəqəsinə əlavə olaraq, tələb olunan dalğa uzunluğunun (d-tipi) intensivlik rejimlərini formalaşdırmaq üçün alt dalğa uzunluğunun, əsasən yüksək məkan tezlikli LIPSS (HSFL) pürüzlülüyünün olması lazımdır14,30.Son LSFL-II intensivlik rejimi HSFL amplitüdünün və oksidin qalınlığının funksiyasıdır.Bu rejimin səbəbi HSFL tərəfindən səpələnmiş işığın və materiala sınmış və səthi dielektrik materialın daxilində yayılan işığın uzaq sahədə müdaxiləsidir20,29,30.Əlavə materiallar bölməsindəki Şəkil S2-də səth nümunəsinin kənarının SEM şəkilləri əvvəlcədən mövcud olan HSFL-in göstəricisidir.Bu xarici bölgə, HSFL-nin formalaşmasına imkan verən intensivliyin paylanmasının periferiyasından zəif təsirlənir.İntensivlik paylanmasının simmetriyasına görə, bu təsir skanlama istiqaməti boyunca da baş verir.
Nümunə qızdırması LSFL-II formalaşması prosesinə bir neçə yolla təsir göstərir.Bir tərəfdən, nümunənin temperaturunun artması \(T_\mathrm{s}\) ərimiş təbəqənin qalınlığından qatılaşma və soyutma sürətinə daha çox təsir göstərir26.Beləliklə, qızdırılan nümunənin maye interfeysi daha uzun müddət ətraf mühitin oksigeninə məruz qalır.Bundan əlavə, gecikmiş bərkimə oksigen və oksidlərin maye poladla qarışmasını artıran mürəkkəb konvektiv proseslərin inkişafına imkan verir26.Bunu yalnız diffuziya nəticəsində əmələ gələn oksid təbəqəsinin qalınlığını müqayisə etməklə göstərmək olar (\(\Lambda _\mathrm {diff}=\sqrt{D~\times ~t_\mathrm {s}}~\le ~15\) nm) Müvafiq laxtalanma vaxtı \(t_\mathrm {s}~\le ~200\) ns, diffuziya əmsalı \(D~\le\) 10\(^{-5}\) sm\(^ 2 \ )/ s) LSFL-II təbəqəsində əhəmiyyətli dərəcədə yüksək qalınlıq müşahidə edilmiş və ya tələb edilmişdir30.Digər tərəfdən, isitmə də HSFL-in formalaşmasına və beləliklə, LSFL-II d tipli intensivlik rejiminə keçmək üçün lazım olan səpilmə obyektlərinə təsir göstərir.Səthin altında qalmış nanovoidlərin ifşası onların HSFL39-un əmələ gəlməsində iştirakını göstərir.Bu qüsurlar tələb olunan yüksək tezlikli dövri intensivlik nümunələrinə görə HSFL-nin elektromaqnit mənşəyini təmsil edə bilər14,17,19,29.Bundan əlavə, bu yaradılan intensivlik rejimləri çoxlu sayda nanovoidlərlə daha vahiddir19.Beləliklə, HSFL hallarının artmasının səbəbi \(T_\mathrm{s}\) artdıqca kristal qüsurlarının dinamikasının dəyişməsi ilə izah edilə bilər.
Bu yaxınlarda göstərilmişdir ki, silisiumun soyuma sürəti daxili interstisial supersaturasiya və beləliklə dislokasiyaların əmələ gəlməsi ilə nöqtə qüsurlarının yığılması üçün əsas parametrdir40,41.Təmiz metalların molekulyar dinamikasının simulyasiyaları göstərdi ki, sürətli yenidən kristallaşma zamanı vakansiyalar həddindən artıq doyur və buna görə də metallarda boş yerlərin yığılması oxşar şəkildə gedir42,43,44.Bundan əlavə, gümüşün son eksperimental tədqiqatlarında nöqtə qüsurlarının toplanması səbəbindən boşluqların və klasterlərin əmələ gəlməsi mexanizminə diqqət yetirilmişdir45.Buna görə də, nümunənin temperaturunun artması \(T_\mathrm {s}\) və nəticədə soyutma sürətinin azalması HSFL-nin nüvələri olan boşluqların əmələ gəlməsinə təsir göstərə bilər.
Əgər boş yerlər boşluqların və buna görə də HSFL üçün zəruri prekursorlardırsa, nümunə temperaturu \(T_s\) iki təsir göstərməlidir.Bir tərəfdən, \(T_s\) yenidən kristallaşma sürətinə və nəticədə yetişmiş kristalda nöqtə qüsurlarının (vakansiya konsentrasiyası) konsentrasiyasına təsir göstərir.Digər tərəfdən, bərkidikdən sonra soyutma sürətinə də təsir edir və bununla da kristalda nöqtə qüsurlarının yayılmasına təsir göstərir 40,41.Bundan əlavə, bərkimə dərəcəsi kristalloqrafik oriyentasiyadan asılıdır və beləliklə, nöqtə qüsurlarının yayılması kimi yüksək anizotropikdir42,43.Bu müddəaya görə, materialın anizotrop reaksiyasına görə, işıq və maddənin qarşılıqlı təsiri anizotrop olur və bu da öz növbəsində bu deterministik dövri enerji buraxılışını gücləndirir.Polikristal materiallar üçün bu davranış tək taxıl ölçüsü ilə məhdudlaşdırıla bilər.Əslində, LIPSS formalaşması taxıl oriyentasiyasından asılı olaraq nümayiş etdirilmişdir46,47.Buna görə də, nümunə temperaturunun \(T_s\) kristallaşma sürətinə təsiri taxıl oriyentasiyasının təsiri qədər güclü olmaya bilər.Beləliklə, müxtəlif taxılların fərqli kristalloqrafik oriyentasiyası boşluqların artması və müvafiq olaraq HSFL və ya LSFL-II-nin yığılması üçün potensial izahat verir.
Bu fərziyyənin ilkin əlamətlərini aydınlaşdırmaq üçün xam nümunələr səthə yaxın taxıl əmələ gəlməsini aşkar etmək üçün həkk edilmişdir.Əncirdəki taxılların müqayisəsi.S3 əlavə materialda göstərilmişdir.Bundan əlavə, LSFL-I və LSFL-II qızdırılan nümunələrdə qruplarda ortaya çıxdı.Bu klasterlərin ölçüsü və həndəsəsi taxıl ölçüsünə uyğundur.
Üstəlik, HSFL yalnız konvektiv mənşəli olduğu üçün aşağı axın sıxlıqlarında dar diapazonda baş verir19,29,48.Buna görə də, təcrübələrdə bu, ehtimal ki, yalnız şüa profilinin periferiyasında baş verir.Buna görə də, HSFL oksidləşməmiş və ya zəif oksidləşmiş səthlərdə əmələ gəlmişdir ki, bu da işlənmiş və təmizlənməmiş nümunələrin oksid fraksiyalarını müqayisə edərkən aydın olmuşdur (bax: Cədvəl reftab: nümunə).Bu, oksid təbəqəsinin əsasən lazer tərəfindən induksiya edildiyi fərziyyəsini təsdiqləyir.
Nəzərə alsaq ki, LIPSS formalaşması adətən impulslararası əks əlaqəyə görə impulsların sayından asılıdır, HSFL-lər nəbzlərin üst-üstə düşməsi artdıqca daha böyük strukturlarla əvəz edilə bilər19.Daha az nizamlı HSFL LSFL-II-nin formalaşması üçün tələb olunan daha az nizamlı intensivlik nümunəsi (d-rejimi) ilə nəticələnir.Buna görə də \(o_\mathrm {p}\) üst-üstə düşməsi artdıqca (de-dən Şəkil 1-ə baxın), LSFL-II qanunauyğunluğu azalır.
Bu iş, substrat temperaturunun lazer strukturlu DLIP ilə işlənmiş paslanmayan poladdan səth morfologiyasına təsirini araşdırdı.Müəyyən edilmişdir ki, substratın 21-dən 250°C-ə qədər qızdırılması ablasiya dərinliyinin s-qütbləşmədə 1.75-dən 0.87 µm-ə, p-polyarizasiyada isə 2.33-dən 1.06 µm-ə qədər azalmasına gətirib çıxarır.Bu azalma LIPSS növünün LSFL-I-dən LSFL-II-yə dəyişməsi ilə bağlıdır ki, bu da daha yüksək nümunə temperaturunda lazerin yaratdığı səth oksidi təbəqəsi ilə bağlıdır.Bundan əlavə, LSFL-II oksidləşmənin artması səbəbindən eşik axını artıra bilər.Güman edilir ki, yüksək impuls üst-üstə düşməsi, orta enerji sıxlığı və orta təkrarlanma dərəcəsi olan bu texnoloji sistemdə LSFL-II-nin baş verməsi həm də nümunənin qızdırılması nəticəsində dislokasiya dinamikasının dəyişməsi ilə müəyyən edilir.LSFL-II-nin aqreqasiyası LSFL-II-nin xəbərçisi kimi HSFL-ə səbəb olan taxıl oriyentasiyasından asılı olan nanovoid formalaşması ilə əlaqədar olduğu fərz edilir.Bundan əlavə, qütbləşmə istiqamətinin struktur dövrünə və struktur dövrünün ötürmə qabiliyyətinə təsiri öyrənilir.Belə çıxır ki, p-qütbləşmə ablasiya dərinliyi baxımından DLIP prosesi üçün daha səmərəlidir.Ümumilikdə, bu tədqiqat fərdiləşdirilmiş səth nümunələri yaratmaq üçün DLIP ablasyonunun dərinliyinə nəzarət etmək və optimallaşdırmaq üçün bir sıra proses parametrlərini aşkar edir.Nəhayət, LSFL-I-dən LSFL-II-yə keçid tamamilə istiliklə idarə olunur və istilik yığılmasının artması səbəbindən daimi nəbz üst-üstə düşməsi ilə təkrarlanma tezliyində kiçik artım gözlənilir24.Bütün bu aspektlər, məsələn, çoxbucaqlı skan sistemlərinin49 istifadəsi yolu ilə DLIP prosesinin genişləndirilməsi ilə bağlı qarşıdan gələn problemə aiddir.İstiliyin yığılmasını minimuma endirmək üçün aşağıdakı strategiyaya əməl oluna bilər: çoxbucaqlı skanerin skan sürətini mümkün qədər yüksək tutun, daha böyük lazer ləkə ölçüsündən, skan istiqamətinə ortoqonal olduğundan və optimal ablasiyadan istifadə edərək.rəvanlıq 28. Bundan əlavə, bu ideyalar DLIP-dən istifadə edərək təkmil səth funksionallaşdırılması üçün mürəkkəb iyerarxik topoqrafiyanın yaradılmasına imkan verir.
Bu işdə 0,8 mm qalınlığında elektrocilalanmış paslanmayan polad plitələr (X5CrNi18-10, 1.4301, AISI 304) istifadə edilmişdir.Səthdən hər hansı çirkləndiriciləri çıxarmaq üçün nümunələr lazerlə müalicədən əvvəl etanol ilə diqqətlə yuyuldu (etanolun mütləq konsentrasiyası \(\ge\) 99,9%).
DLIP parametri Şəkil 4-də göstərilmişdir. Nümunələr dalğa uzunluğu 532 nm və maksimum təkrarlanma tezliyi 50 MHz olan 12 ps ultraqısa impulslu lazer mənbəyi ilə təchiz edilmiş DLIP sistemindən istifadə etməklə qurulmuşdur.Şüa enerjisinin məkan paylanması Qaussdur.Xüsusi hazırlanmış optika nümunədə xətti strukturlar yaratmaq üçün ikili şüalı interferometrik konfiqurasiyanı təmin edir.Fokus uzunluğu 100 mm olan obyektiv iki əlavə lazer şüasını 6,8\(^\circ\) sabit bucaq altında səthə qoyur, bu da təqribən 4,5 µm məkan müddəti verir.Eksperimental quraşdırma haqqında daha çox məlumatı başqa yerdə tapa bilərsiniz50.
Lazer emalından əvvəl nümunə müəyyən bir temperaturda qızdırıcı plitə üzərinə yerləşdirilir.İstilik plitəsinin temperaturu 21 və 250 ° C-də təyin edilmişdir.Bütün təcrübələrdə optika üzərində toz çökməsinin qarşısını almaq üçün egzoz cihazı ilə birlikdə sıxılmış havanın eninə jetindən istifadə edilmişdir.Strukturlaşdırma zamanı nümunəni yerləşdirmək üçün x,y mərhələ sistemi qurulur.
Yerləşdirmə mərhələsi sisteminin sürəti müvafiq olaraq 99,0 ilə 99,67 \(\%\) impulslar arasında üst-üstə düşmə əldə etmək üçün 66 ilə 200 mm/s arasında dəyişdi.Bütün hallarda təkrarlama sürəti 200 kHz-də sabitlənmişdir və orta güc 4 Vt olmuşdur ki, bu da 20 μJ nəbz üçün enerji verir.DLIP təcrübəsində istifadə edilən şüa diametri təqribən 100 µm-dir və nəticədə lazer enerjisinin pik sıxlığı 0,5 J/sm\(^{2}\) təşkil edir.Vahid sahəyə ayrılan ümumi enerji \(o_{\mathrm {p}}\) = 99,0 \(\%\), 100 J/sm üçün 50 J/sm\(^2\)-ə uyğun gələn zirvə kumulyativ axarıdır. \(^2\) \(o_{\mathrm {p})\)=99.5\(\%\) və \(o_{ \mathrm {p} }\ üçün 150 J/sm\(^2\) ) = 99,67 \(\%\).Lazer şüasının polarizasiyasını dəyişmək üçün \(\lambda\)/2 lövhəsindən istifadə edin.İstifadə olunan hər bir parametr dəsti üçün nümunədə təqribən 35 × 5 mm\(^{2}\) sahə toxumalıdır.Bütün strukturlaşdırılmış təcrübələr sənaye tətbiqini təmin etmək üçün ətraf mühit şəraitində aparılmışdır.
Nümunələrin morfologiyası 50x böyüdücü və müvafiq olaraq 170 nm və 3 nm optik və şaquli ayırdetmə qabiliyyəti olan konfokal mikroskopdan istifadə edərək tədqiq edilmişdir.Toplanmış topoqrafik məlumatlar daha sonra səth analizi proqramından istifadə edilərək qiymətləndirilmişdir.ISO 1661051-ə uyğun olaraq ərazi məlumatlarından profilləri çıxarın.
Nümunələr həmçinin 6,0 kV sürətləndirici gərginlikdə skan edən elektron mikroskopdan istifadə etməklə xarakterizə edilmişdir.Nümunələrin səthinin kimyəvi tərkibi 15 kV-lik sürətləndirici gərginlikdə enerji-dispersiv rentgen spektroskopiyası (EDS) qoşqusundan istifadə etməklə qiymətləndirilmişdir.Bundan əlavə, nümunələrin mikrostrukturunun dənəvər morfologiyasını müəyyən etmək üçün 50x obyektivli optik mikroskopdan istifadə edilmişdir. Bundan əvvəl nümunələr 50 \(^\circ\)C sabit temperaturda beş dəqiqə ərzində xlorid turşusu və 15-20 \(\%\) və 1\( azot turşusu konsentrasiyası ilə paslanmayan poladdan ləkələnmişdir. -<\)5 \(\%\), müvafiq olaraq. Bundan əvvəl nümunələr 50 \(^\circ\)C sabit temperaturda beş dəqiqə ərzində xlorid turşusu və 15-20 \(\%\) və 1\( azot turşusu konsentrasiyası ilə paslanmayan poladdan ləkələnmişdir. -<\)5 \(\%\), müvafiq olaraq. Перед этим образцы травили при постоянной температурае 50 \(^\circ\)С в технический пяти минут в краске из нержавеющей стали соляной и азотной кислотами концентрацией 15-20 \(\%\) и 1\( -<\)5 \( \%\) cavab verir. Bundan əvvəl nümunələr 50 \(^\circ\)C sabit temperaturda beş dəqiqə ərzində 15-20 \(\%\) və 1\( konsentrasiyası olan xlorid və azot turşuları ilə paslanmayan poladdan hazırlanmış boyada həkk edilmişdir. -<\)5 \( \%\) müvafiq olaraq.在此之前，样品在不锈钢染色液中以50 \(^\circ\)C 的恒温蚀刻五分钟，盐酸分钟，盐酸咸% \五分钟，盐酸咸店) 和1\( -<\)5 \ (\%\)，分别。在此之前，样品在不锈钢染色液中以50 \(^\circ\)C (\%\)，分别。Bundan əvvəl nümunələr beş dəqiqə ərzində 50 \(^\circ\)C sabit temperaturda xlorid və azot turşularının 15-20 \(\%\) və 1 konsentrasiyası olan paslanmayan polad üçün boyama məhlulunda duzlanmışdır. \.(-<\)5 \ (\%\) cavab verir. (-<\)5 \ (\%\) müvafiq olaraq.
(1) lazer şüası, (2) \(\lambda\)/2 lövhə, (3) müəyyən optik konfiqurasiyaya malik DLIP başlığı, (4) daxil olmaqla iki şüalı DLIP qurğusunun eksperimental qurulmasının sxematik diaqramı ) isti lövhə, (5) çarpaz maye , (6) x,y yerləşdirmə addımları və (7) paslanmayan polad nümunələr.Solda qırmızı rənglə dairələnmiş iki üst-üstə qoyulmuş şüa nümunədə \(2\teta\) bucaqlarda (həm s-, həm də p-qütbləşmə daxil olmaqla) xətti strukturlar yaradır.
Cari tədqiqatda istifadə edilən və/yaxud təhlil edilən məlumat dəstləri əsaslı sorğu əsasında müvafiq müəlliflərdən əldə edilə bilər.
Göndərmə vaxtı: 07 yanvar 2023-cü il